（1）為了便于發射結發射電子，發射區半導體的摻雜溶度遠高于基區半導體的摻雜溶度，且發射結的面積較小。

（2）發射區和集電區雖為一致性質的摻雜半導體，但發射區的摻雜溶度要高于集電區的摻雜溶度，且集電結的面積要比發射結的面積大，便于搜集電子。

（3）聯系發射結和集電結兩個PN結的基區十分薄，且摻雜溶度也很低。

avx鉭電容好像兩個反向串聯的PN結，假如孤登時看待這兩個反向串聯的PN結，或將兩個一般二極管串聯起來組成avx鉭電容，是不可能具有電流的擴大效果。具有電放逐大效果的avx鉭電容，PN結內部結構的特殊性是。

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