貼片鉭電容在額外電壓運行時，有一個167千伏/毫米電壓的電場。因此一定要保證整個電容器終真個電壓決不會超越劃定的浪涌電壓評級。作為鉭電容負極板層運用的半導體，二氧化錳有自愈才能。然而，這種低阻是有限的，在低阻抗電路的情況下，電容器或許被浪涌電流擊穿。降壓的電容添加了元件的可靠性。額外電壓運用上常見的電壓軌跡、低阻抗鉭電容在電路進行快速充電或放電時，保護電阻主張為1Ω/V，假設達不到此要求應運用鉭電容器降壓系數高達70%，avx鉭電容在這種情況下，或許需求更高的電壓比作為一個單一的電容。

鉭電容的組合應被告用來添加作業電壓的等效電容器。電容在很短的時刻經由最小的串聯電阻的電路國家能接受的最高電壓。浪涌電壓常溫下一個小時時刻內可達到高達10倍額度電壓并高達30秒的時刻。這些都是由幾種不同的機制，包括電阻元件和觸點、粘性實力內介質和生產旁路的缺陷電流途徑。為了表達對他們的這些丟失的影響視為電容的ESR.ESR的頻率依靠性和可利用的關系。　　

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