臺(tái)積電InFO產(chǎn)品結(jié)構(gòu)如下：

其工藝流程如下：

1、在晶圓Pad上制作一層預(yù)制銅柱；

2、將切割好的芯片Pad面向上粘貼在帶臨時(shí)鍵合膠的載片上；

3、對(duì)載片進(jìn)行灌膠塑封；

4、對(duì)塑封好的扇出晶圓進(jìn)行研磨，露出預(yù)制銅柱的頂部；

5、在預(yù)制銅柱的頂部進(jìn)一步制作RDL及植球移除載片；

6、將完成植球的扇出式晶圓切割成單個(gè)成品。

該技術(shù)由于布線工藝在載片上完成，沒有翹曲等因素的影響，因而能夠?qū)崿F(xiàn)高密度布線，同時(shí)整體封裝厚度也能控制的很低，多應(yīng)用在高端手機(jī)處理器等高價(jià)值芯片上。缺點(diǎn)是工藝控制要求高，而且RDL良率直接會(huì)影響到芯片成品率，因此最終成品價(jià)格較高。

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